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中国存储国家队豪言:2020年追上世界级大厂

发表时间:2017-01-17

中国半导体国家队紫光集团与武汉新芯在日前合并,组成长江存储全力发展存储,其倾国家之力建设的国家存储基地也于 2016 年底动工,中国存储之路到底走到什么境地?从前武汉新芯CEO、现任长江存储CEO杨士宁参与技术论坛的言论,或能透露更多端倪。

中国半导体产业交流平台 IC 咖啡 14 日在中国上海举办了“匠心独运、卓越创芯”技术峰会,前武汉新芯CEO、现任长江存储CEO杨士宁以“发展存储产业的战略思考”为题进行演讲,会中也透露了长江存储的存储发展策略,与目前技术进展。

武汉新芯原为中国选定的存储发展主力厂商,当时武汉新芯以 NAND Flash 做切入,展开一连串布局,包含在 2015 年与现已并入赛普拉斯(Cypress)的飞索半导体(Spansion)技术合作,在武汉新芯与紫光合并组成长江存储后,仍维持当时的发展策略,以 3D NAND Flash 做为策略发展重点。

对此,杨士宁指出,选择 3D NAND 为突破口是企业需求、外部机遇与市场动力的吻合。是技术问题,更是经济问题。他进一步解释道,DRAM 与 2D NAND 都面临竞争对手折旧后设备的大量产能,而 3D NAND Flash 增量巨大,且为目前众存储厂商争相竞逐发展的新领域,拥有较佳的发展机会。

杨士宁透露,长江存储 32 层 3D NAND Flash 发展顺利,产品指标也良好,预计将在 2019 年实现产能满载。甚至豪言,要在 2019 年与内存前几大业者技术差距拉近至半代,并于 2020 年追上世界领先技术。

先前有传闻,长江存储预计在 2017 年发展出 32 层堆叠 3D NAND Flash 产品,对此长江存储今 16 日特定发布消息强调,amp连接器,公司从未发布过 32 层 3D NAND 在今年量产的信息。


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